TDK公司今天宣布开发出GBDriverRA8系列NAND闪存控制器LSI，该产品计划于九月份开始销售。
GBDriverRA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，与2K字节/页和4K字节/页的NAND闪存兼容。该控制器支持单级单元(SLC)和多级单元(MLC)NAND闪存，实现了从128M字节到16G字节(SLC)和256M字节到32G字节(MLC)的高速闪存存储容量，因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外，该控制器具有128针TQPF封装方式和121针VFBGA封装方式。
该控制器实现了高速控制、采用15位纠错码(ECC)、GBDriver系列共有的自动恢复功能以及断电时的并行错误预防功能，这些设计提高了NAND闪存的数据可靠性。
此外，GBDriverRA8系列采用了一种新式独创的静态耗损均衡算法(staticwearlevelingalgorithm)，使每个存储块的重写次数更加平均，这样就最大程度地延长了NAND闪存的擦写寿命。闪存管理功能包括改进的设定每个存储块擦写次数的“智能功能”(SMART)，并对量化评估、管理及NAND存储系统进行了简化。
TDK将于2008年10月发售配备了新型GBDriverRA8控制器的工业小型闪存卡和固态驱动器(SDD)。
主要用途
主要用于民用、工业用嵌入式系统设备及IT设备，例如：数码相机、便携摄像机、数字电视、机顶盒(STB)、多功能打印机、车载导航系统、便携式导航设备(PND)、车载音响、电子收费(ETC)终端、销售点(POS)终端、金融业务终端与ATM机、医疗设备、测量仪器、机械工具、工厂自动面板计算机及触摸屏系统。
主要特性
1.主机接口：
GBDriverRA8与PIO0-6、MultiwordDMA0-4及UltraDMA0-6兼容，支持高达50MB/秒的读访问速度和35MB/秒的写访问速度（采用MLC时为15MB/秒）。（*实际速度取决于安装的闪存）
2.支持的闪存：
GBDriverRA8控制器支持所有厂商最新的2K字节/页和4K字节/页结构的NAND闪存及其最新产品。由于这些产品都与SLC和MLCNAND闪存兼容，该控制器实现了从128M字节到16G字节(SLC)和256M字节到32G字节(MLC)的存储容量。
3.适用于所有存储块的静态耗损均衡功能：
新的静态耗损均衡算法使每个存储块的擦写次数更加平均。可将静态耗损均衡设为任意范围，超出静态耗损均衡的区域按动态耗损均衡管理。
4.改进的断电耐受性：
在写数据时如发生断电，独创的算法可全面预防并行错误，不让错乱的数据写入。
5.纠错和恢复：
闪存鉴别功能采用8位/段ECC或15位/段ECC来提供纠错能力，为适应未来的发展预留了空间。自动恢复功能包括在重复读取数据时自动纠正位错误（读干扰错误）。
6.其他功能：
(a)总簇数量设置功能
可调高或调低分配给数据区的逻辑块数量。例如，可通过减少数据区逻辑块的数量来提高可写入数据的次数。反之，如果应用不要求长寿命，可通过增加数据区逻辑块的数量来加大存储容量。
(b)保护功能
采用ATA标准保护功能，使用户能够设置和取消密码以保护重要数据。
(c)“智能命令”支持
可通过“智能命令”设定所有内存块的擦写次数，便于确定闪存状态和相关管理。
7.解决方案支持
TDK自2000年开始自主研发和销售GBDriver系列NAND闪存控制器，依托其先进技术为日本和国外客户提供技术支持，包括派遣现场应用工程师和实施可靠性监控工作，嵌入式系统市场对此有强烈需求。
生产销售计划
—生产地点：日本
—生产能力：100,000单元/月（预计）
—样品出货：2008年9月
